AON2401 Todos los transistores

 

AON2401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON2401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.65 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2B
 

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AON2401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  aosemi
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AON2401

AON24018V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2401 combines advanced trench MOSFET -8Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-2.5V) -8Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =-2.5V)

 8.1. Size:260K  aosemi
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AON2401

AON240730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2407 combines advanced trench MOSFET -30Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -6.3Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =-10V)

 8.2. Size:247K  aosemi
 aon2406.pdf pdf_icon

AON2401

AON240620V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AON2406 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 8Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.3. Size:234K  aosemi
 aon2400.pdf pdf_icon

AON2401

AON24008V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2400 combines advanced trench MOSFET 8Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V) 8Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS = 2.5V)

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History: GP2M002A060XG | SI7682DP

 

 
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