AON3816 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON3816  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AON3816 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON3816 datasheet

 ..1. Size:264K  aosemi
 aon3816.pdf pdf_icon

AON3816

AON3816 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AON3816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=4.5V) 4A with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS = 4.5V)

 8.1. Size:263K  1
 aon3814.pdf pdf_icon

AON3816

 8.2. Size:345K  aosemi
 aon3818.pdf pdf_icon

AON3816

AON3818 24V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 24V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.3. Size:263K  aosemi
 aon3814.pdf pdf_icon

AON3816

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON2810, AON2812, AON3402, AON3419, AON3611, AON3613, AON3806, AON3814, 8N60, AON3818, AON4420L, AON4421, AON4605, AON4703, AON4803, AON4805L, AON4807