AON4421 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON4421

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.8 V

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 170 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN2x3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON4421

AON4421 Datasheet (PDF)

1.1. aon4421.pdf Size:299K _aosemi

AON4421 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summary VDS -30V The AON4421 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -8A device is suitable for use as a load switch. RDS(ON) (at VGS=-10V) < 26mΩ RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 34mΩ ESD Protected -RoHS Compliant -Halogen Free

4.1. aon4420.pdf Size:148K _aosemi

AON4420L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON4420L combines advanced trench MOSFET technology with a small footprint package to provide low VDS (V) = 30V RDS(ON) per unit area. This device is ideal for load switch ID = 10A (VGS = 10V) and high speed switching applications. RDS(ON) < 19mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 4.5V)

4.2. aon4420l.pdf Size:147K _aosemi

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Liste

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