AON4421. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON4421

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AON4421

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4421 даташит

 ..1. Size:299K  aosemi
 aon4421.pdf pdf_icon

AON4421

AON4421 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Product Summary VDS -30V The AON4421 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID (at VGS=-10V) -8A device is suitable for use as a load switch. RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:148K  aosemi
 aon4420.pdf pdf_icon

AON4421

AON4420L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON4420L combines advanced trench MOSFET technology with a small footprint package to provide low VDS (V) = 30V RDS(ON) per unit area. This device is ideal for load switch ID = 10A (VGS = 10V) and high speed switching applications. RDS(ON)

 8.2. Size:147K  aosemi
 aon4420l.pdf pdf_icon

AON4421

AON4420L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON4420L combines advanced trench MOSFET technology with a small footprint package to provide low VDS (V) = 30V RDS(ON) per unit area. This device is ideal for load switch ID = 10A (VGS = 10V) and high speed switching applications. RDS(ON)

 9.1. Size:137K  aosemi
 aon4413.pdf pdf_icon

AON4421

AON4413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON4413 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30V provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID = -6.5A (VGS = -10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON3419, AON3611, AON3613, AON3806, AON3814, AON3816, AON3818, AON4420L, K2611, AON4605, AON4703, AON4803, AON4805L, AON4807, AON5802B, AON5810, AON5820