AON4605 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON4605

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3(3.4) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.5(4.1) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(42) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(0.11) Ohm

Encapsulados: DFN2X3

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AON4605 datasheet

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AON4605

AON4605 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary The AON4605 uses advanced trench technology to N-Channel P-Channel provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS= 30V -30V complementary MOSFETs form a high-speed power ID= 4.3A (VGS=10V) -3.4A (VGS=-10V) inverter, suitable for a multitude of applications. RDS(ON) RDS(ON)

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AON4605

AON4602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features n-channel p-channel The AON4602 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 20V -20V complementary MOSFETs form a high-speed power ID = 4.2A -3.4A (VGS= 4.5V) inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AON4602

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