AON4605. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON4605

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3(3.4) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5(4.1) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35(42) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.11) Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AON4605

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4605 даташит

 ..1. Size:419K  aosemi
 aon4605.pdf pdf_icon

AON4605

AON4605 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary The AON4605 uses advanced trench technology to N-Channel P-Channel provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS= 30V -30V complementary MOSFETs form a high-speed power ID= 4.3A (VGS=10V) -3.4A (VGS=-10V) inverter, suitable for a multitude of applications. RDS(ON) RDS(ON)

 8.1. Size:147K  aosemi
 aon4602.pdf pdf_icon

AON4605

AON4602 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features n-channel p-channel The AON4602 uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 20V -20V complementary MOSFETs form a high-speed power ID = 4.2A -3.4A (VGS= 4.5V) inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AON4602

Другие IGBT... AON3611, AON3613, AON3806, AON3814, AON3816, AON3818, AON4420L, AON4421, EMB04N03H, AON4703, AON4803, AON4805L, AON4807, AON5802B, AON5810, AON5820, AON6202