AON6266 Todos los transistores

 

AON6266 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6266

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de AON6266 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON6266 datasheet

 ..1. Size:368K  aosemi
 aon6266.pdf pdf_icon

AON6266

AON6266 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:565K  aosemi
 aon6266e.pdf pdf_icon

AON6266

AON6266E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
 aon6262e.pdf pdf_icon

AON6266

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON6236, AON6240, AON6242, AON6244, AON6246, AON6248, AON6250, AON6260, IRFB4110, AON6270, AON6278, AON6280, AON6282, AON6284, AON6290, AON6292, AON6294

 

 

 

 

↑ Back to Top
.