AON6266 - описание и поиск аналогов

 

AON6266. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6266

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6266

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6266 даташит

 ..1. Size:368K  aosemi
aon6266.pdfpdf_icon

AON6266

AON6266 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:565K  aosemi
aon6266e.pdfpdf_icon

AON6266

AON6266E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:334K  1
aon6262e.pdfpdf_icon

AON6266

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:334K  aosemi
aon6262e.pdfpdf_icon

AON6266

AON6262E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 40A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6236 , AON6240 , AON6242 , AON6244 , AON6246 , AON6248 , AON6250 , AON6260 , IRFB4110 , AON6270 , AON6278 , AON6280 , AON6282 , AON6284 , AON6290 , AON6292 , AON6294 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.