AON6424 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6424
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6424

AON6424 Datasheet (PDF)

..1. Size:390K aosemi
aon6424.pdf

AON642430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON6424 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 41Asuitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:149K aosemi
aon6426.pdf

AON642630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS (V) = 30VThe AON6426 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provideID = 65A (VGS = 10V)extremely low RDS(ON). This device is ideal for loadRDS(ON)

8.2. Size:301K aosemi
aon6428.pdf

AON642830V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS30VThe AON6428 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 43Asuitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:155K aosemi
aon6422.pdf

AON642230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS (V) = 30VThe AON6422 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provideID = 80A (VGS = 10V)extremely low RDS(ON). This device is ideal for loadRDS(ON)

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Liste

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