AON6552 Todos los transistores

 

AON6552 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6552

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Tiempo de elevación (tr): 3.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 441 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.005 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5x6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6552

 

AON6552 Datasheet (PDF)

1.1. aon6552.pdf Size:302K _aosemi

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AON6552 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 5mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 8.5mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Application 100% UIS Tested • DC/DC Converters in

4.1. aon6554.pdf Size:441K _aosemi

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AON6554 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 85A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 2.9mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 3.7mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Application 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC

4.2. aon6558.pdf Size:301K _aosemi

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AON6558 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 30A • Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) < 5.1mΩ • High Current Capability RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 8.2mΩ • RoHS and Halogen-Free Compliant Application 100% UIS Tested 100% Rg Tested • DC

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