AON7418 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AON7418 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON7418

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1276 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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AON7418 datasheet

..1. Size:257K 1
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AON7418 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:257K aosemi
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8.1. Size:338K 1
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AON7410 30V N-Channel MOSFET General Description Features The AON7410 uses advanced trench technology and design VDS (V) = 30V to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID = 24A (VGS = 10V) device is suitable for use in DC - DC converters and Load RDS(ON)

8.2. Size:338K aosemi
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