AON7418. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7418

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для AON7418

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7418 даташит

 ..1. Size:257K  1
aon7418.pdfpdf_icon

AON7418

AON7418 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:257K  aosemi
aon7418.pdfpdf_icon

AON7418

AON7418 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:338K  1
aon7410.pdfpdf_icon

AON7418

AON7410 30V N-Channel MOSFET General Description Features The AON7410 uses advanced trench technology and design VDS (V) = 30V to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID = 24A (VGS = 10V) device is suitable for use in DC - DC converters and Load RDS(ON)

 8.2. Size:338K  aosemi
aon7410.pdfpdf_icon

AON7418

AON7410 30V N-Channel MOSFET General Description Features The AON7410 uses advanced trench technology and design VDS (V) = 30V to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID = 24A (VGS = 10V) device is suitable for use in DC - DC converters and Load RDS(ON)

Другие IGBT... AON7406, AON7407, AON7408, AON7409, AON7410, AON7412, AON7414, AON7416, AO3401, AON7421, AON7422E, AON7423, AON7424, AON7426, AON7428, AON7430, AON7432