AON7524 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON7524

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: DFN3X3EP

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AON7524 datasheet

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AON7524

AON7524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7524

AON7524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 28A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7524

AON7528 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AON7524

AON7520 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 2.5V VGS ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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