AON7611 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON7611
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7(20.8) W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9(18.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.5(5.5) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(100) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(0.038) Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
AON7611 Datasheet (PDF)
aon7611.pdf

AON761130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON7611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 9.0A ID = -18.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: NDF06N62Z | CS2N70HD | WMK028N08HGD | MPSA70M200CFD | P0460EI | FTA04N60B | FDB86563F085
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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