Справочник MOSFET. AON7611

 

AON7611 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON7611
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7(20.8) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(18.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.5(5.5) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35(100) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.038) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7611 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  aosemi
 aon7611.pdf pdf_icon

AON7611

AON761130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON7611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 9.0A ID = -18.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFH6N100 | IRFY140M | LSG60R650HT | MS65R600R | VS8205BH | P2003BDG | NCE70N290F

 

 
Back to Top

 


 
.