AON7611. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7611

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7(20.8) W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(18.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5(5.5) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35(100) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.038) Ohm

Тип корпуса: DFN3X3EP

Аналог (замена) для AON7611

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7611 даташит

 ..1. Size:420K  aosemi
 aon7611.pdf pdf_icon

AON7611

AON7611 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-channel P-channel The AON7611 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V complementary MOSFETs may be used in inverter and ID = 9.0A ID = -18.5A (VGS = 10V) other applications. RDS(ON)

Другие IGBT... AON7530, AON7532E, AON7534, AON7536, AON7538, AON7544, AON7548, AON7556, 2N60, AON7700, AON7702A, AON7702B, AON7752, AON7754, AON7758, AON7760, AON7764