AON7611 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON7611
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7(20.8) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9(18.5) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.5(5.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35(100) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.038) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3EP
AON7611 Datasheet (PDF)
aon7611.pdf
AON761130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON7611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 9.0A ID = -18.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRF510A
History: IRF510A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918