AON7810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON7810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: DFN3X3ADUAL

 Búsqueda de reemplazo de AON7810 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON7810 datasheet

 ..1. Size:283K  aosemi
 aon7810.pdf pdf_icon

AON7810

 8.1. Size:292K  aosemi
 aon7812.pdf pdf_icon

AON7810

AON7812 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:253K  1
 aon7804.pdf pdf_icon

AON7810

AON7804 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON7804 is designed to provide a high efficiency 30V 22A synchronous buck power stage with optimal layout and ID (at VGS=10V) board space utilization. It includes two low RDS (ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:253K  aosemi
 aon7804.pdf pdf_icon

AON7810

AON7804 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON7804 is designed to provide a high efficiency 30V 22A synchronous buck power stage with optimal layout and ID (at VGS=10V) board space utilization. It includes two low RDS (ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AON7752, AON7754, AON7758, AON7760, AON7764, AON7784, AON7788, AON7804, IRLB3034, AON7812, AON7820, AON7826, AON7900, AON7902, AON7932, AON7934, AOP605