AON7810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON7810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 233 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3ADUAL

Аналог (замена) для AON7810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON7810 даташит

 ..1. Size:283K  aosemi
 aon7810.pdf pdf_icon

AON7810

 8.1. Size:292K  aosemi
 aon7812.pdf pdf_icon

AON7810

AON7812 30V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:253K  1
 aon7804.pdf pdf_icon

AON7810

AON7804 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON7804 is designed to provide a high efficiency 30V 22A synchronous buck power stage with optimal layout and ID (at VGS=10V) board space utilization. It includes two low RDS (ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:253K  aosemi
 aon7804.pdf pdf_icon

AON7810

AON7804 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON7804 is designed to provide a high efficiency 30V 22A synchronous buck power stage with optimal layout and ID (at VGS=10V) board space utilization. It includes two low RDS (ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7752, AON7754, AON7758, AON7760, AON7764, AON7784, AON7788, AON7804, IRLB3034, AON7812, AON7820, AON7826, AON7900, AON7902, AON7932, AON7934, AOP605