HEPF2007A Todos los transistores

HEPF2007A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HEPF2007A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: MACROH

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros