HEPF2007A - описание и поиск аналогов

HEPF2007A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HEPF2007A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: MACROH

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам