HP4410DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP4410DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP4410DY
Principales características: HP4410DY
hp4410dy.pdf
HP4410DY Data Sheet December 2001 10A, 30V, 0.0135 Ohm, Single N-Channel, Features Logic Level Power MOSFET Logic Level Gate Drive This power MOSFET is manufactured using an innovative 10A, 30V process. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.0135 at ID = 10A, VGS = 10V lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perform
Otros transistores... HAT2061R , HAT2064R , HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , 2N7000 , HP4936DY , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent

