HP4410DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HP4410DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HP4410DY

HP4410DY Datasheet (PDF)

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hp4410dy.pdf

HP4410DYData Sheet December 200110A, 30V, 0.0135 Ohm, Single N-Channel, FeaturesLogic Level Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis power MOSFET is manufactured using an innovative 10A, 30Vprocess. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.0135 at ID = 10A, VGS = 10Vlowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perform

8.1. Size:258K feihonltd
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