HR3N200 Todos los transistores

 

HR3N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HR3N200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.33 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 6 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 100 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO72

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HR3N200 Datasheet (PDF)

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