HR3N200 - описание и поиск аналогов

HR3N200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HR3N200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm

Тип корпуса: TO72

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам