AOU1N60 Todos los transistores

 

AOU1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOU1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de AOU1N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOU1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
 aou1n60.pdf pdf_icon

AOU1N60

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aou1n60.pdf pdf_icon

AOU1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... AOTF8N50 , AOTF8N60 , AOTF8N65 , AOTF8N80 , AOTF8T50P , AOTF9N50 , AOTF9N70 , AOTF9N90 , IRF1405 , AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 .

History: IPA60R380P6 | IPA50R280CE | STH240N75F3-2 | LND20N60 | 2SK2885 | RRH075P03 | TSA82N30M

 

 
Back to Top

 


 
.