Справочник MOSFET. AOU1N60

 

AOU1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOU1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для AOU1N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOU1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
 aou1n60.pdf pdf_icon

AOU1N60

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aou1n60.pdf pdf_icon

AOU1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... AOTF8N50 , AOTF8N60 , AOTF8N65 , AOTF8N80 , AOTF8T50P , AOTF9N50 , AOTF9N70 , AOTF9N90 , IRFZ48N , AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 .

History: FDS8874 | CEM2539A | S85N042RP | BSC014N04LSI

 

 
Back to Top

 


 
.