Справочник MOSFET. AOU1N60

 

AOU1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOU1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для AOU1N60

 

 

AOU1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  aosemi
 aou1n60.pdf

AOU1N60 AOU1N60

AOD1N60/AOU1N60/AOI1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD1N60 & AOU1N60 & AOI1N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 1.3Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:274K  inchange semiconductor
 aou1n60.pdf

AOU1N60 AOU1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOU1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top