AOW284 Todos los transistores

 

AOW284 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOW284
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 673 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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AOW284 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  aosemi
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AOW284

AOW28480V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS MV) technology 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:283K  inchange semiconductor
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AOW284

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW284FEATURESDrain Current I = 105A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 80V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.3m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgener

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History: MMN8218 | D12N06 | HF12N60 | SFP080N100AC2 | YJL2304A | AP9960GH-HF | SIR640DP

 

 
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