AOW284. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOW284
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 105 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 673 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для AOW284
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOW284 даташит
aow284.pdf
AOW284 80V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 105A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aow284.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOW284 FEATURES Drain Current I = 105A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 80V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.3m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Be suitable for synchronous rectification for server and gener
Другие MOSFET... AOW12N65 , AOW14N50 , AOW15S60 , AOW15S65 , AOW20C60 , AOW20S60 , AOW2500 , AOW25S65 , 50N06 , AOW2918 , AOW298 , AOW29S50 , AOW410 , AOW418 , AOW480 , AOW482 , AOW4S60 .
History: SUD17N25-165 | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3
History: SUD17N25-165 | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550

