AOY423 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOY423
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251B
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOY423
AOY423 Datasheet (PDF)
aoy423.pdf
AOD423/AOI423/AOY42330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AOD423/AOI423/AOY423 uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge ID (at VGS= -20V) -70Aand low gate resistance. With the excellent thermal RDS(ON) (at VGS= -20V)
aoy423.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor AOY423FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
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Liste
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