AOY423 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOY423
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-251B
AOY423 Datasheet (PDF)
aoy423.pdf
AOD423/AOI423/AOY42330V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AOD423/AOI423/AOY423 uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge ID (at VGS= -20V) -70Aand low gate resistance. With the excellent thermal RDS(ON) (at VGS= -20V)
aoy423.pdf
INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor AOY423FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918