2SK850 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK850
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65
Búsqueda de reemplazo de 2SK850 MOSFET
2SK850 Datasheet (PDF)
2sk850.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK850DESCRIPTIONDrain Current I =40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D
Otros transistores... AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , IRFP450 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR , 2SK1916-01R , 2SK1772 , 2SK1070 , 2SJ450 .
History: ELM51404FA | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | AFN1024E | TPCA8121
History: ELM51404FA | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | AFN1024E | TPCA8121



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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