2SK850 Todos los transistores

 

2SK850 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK850
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK850 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  toshiba
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2SK850

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
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2SK850

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK850DESCRIPTIONDrain Current I =40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV D

 9.1. Size:62K  toshiba
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2SK850

 9.2. Size:121K  nec
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2SK850

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History: IRFB52N15DPBF | SSF11NS70UF | IXFC80N085 | SI4368DY | SSF2N60 | STB40N60M2 | SWK15N04V

 

 
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