2SK850 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK850
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: SC65
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2SK850 datasheet
2sk850.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK850 DESCRIPTION Drain Current I =40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V D
Otros transistores... AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR , 2SK3515-01MR , 2SK436 , NCEP15T14 , 2SK3918 , 2SK3918-ZK , 2SK2651-01MR , 2SK2638-01MR , 2SK1916-01R , 2SK1772 , 2SK1070 , 2SJ450 .
History: SML4030BN | SI2309CDS | QN3109M6N
History: SML4030BN | SI2309CDS | QN3109M6N
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