APT6035BVFR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT6035BVFR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 403 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

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APT6035BVFR Datasheet (PDF)

1.1. apt6035bvfrg apt6035svfrg.pdf Size:117K _update_mosfet

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1.2. apt6035bvfr.pdf Size:116K _apt

1.3. apt6035bvr.pdf Size:62K _apt

APT6035BVR 600V 18A 0.350Ω POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching • 100% Avalanche Tested D • Lower L

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Liste

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