STU36L01A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU36L01A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU36L01A datasheet

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STU36L01A

Gr P Pr P P STU/D36L01A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 100V 36A 17 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK (T

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STU36L01A

STU36NB20 N-CHANNEL 200V - 0.052 - 36A Max220 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU36NB20 200V

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