STU36L01A Todos los transistores

 

STU36L01A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU36L01A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

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STU36L01A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  samhop
stu36l01a std36l01a.pdf

STU36L01A
STU36L01A

GrPPrPPSTU/D36L01AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 36A 17 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(T

 9.1. Size:242K  st
stu36nb20.pdf

STU36L01A
STU36L01A

STU36NB20N-CHANNEL 200V - 0.052 - 36A Max220PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU36NB20 200V

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History: HGI170N10A

 

 
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