STU36L01A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU36L01A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm

Тип корпуса: TO252 DPAK

Аналог (замена) для STU36L01A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU36L01A даташит

 ..1. Size:111K  samhop
 stu36l01a std36l01a.pdf pdf_icon

STU36L01A

Gr P Pr P P STU/D36L01A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 100V 36A 17 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 251 I - PAK (T

 9.1. Size:242K  st
 stu36nb20.pdf pdf_icon

STU36L01A

STU36NB20 N-CHANNEL 200V - 0.052 - 36A Max220 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU36NB20 200V

Другие IGBT... STU466S, STU45N01, STU458S, STU456S, STU456A, STU452S, STU449S, STU448S, IRFP064N, STU35N10, STU35L01HA, STU35L01A, STU35L01, STU339S, STU336S, STU334S, STU330S