STU35N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU35N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 231 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU35N10

STU35N10 Datasheet (PDF)

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stu35n10 std35n10.pdf

STU35N10GreenProductSTD35N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.21 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.100V 35A30 @ VGS=4.5V GSSTU SERIES STD SERIES( ) ( )TO - 252AA D- PAK TO -

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stu35l01a std35l01a.pdf

GreenProductSTU/D35L01AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 35A 20 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(TA

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stu35l01 std35l01.pdf

rerrPPrPrProSTU/D35L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.35A100V 24 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I

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stu35l01ha std35l01ha.pdf

GrerrPPrPrProSTU/D35L01HAaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.100V 35A 20 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

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