STU25L01 Todos los transistores

 

STU25L01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU25L01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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STU25L01 Datasheet (PDF)

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STU25L01

GrerrPPrPrProSTU25L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) TypVDSS IDRugged and reliable.35 @ VGS=10VTO-252 Package.100V 25A45 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIES( )TO - 252AA D- PAK(TC=25C unless otherwis

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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