STU25L01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU25L01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TO252 DPAK

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STU25L01 datasheet

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STU25L01

Gre r r P Pr Pr Pro STU25L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 35 @ VGS=10V TO-252 Package. 100V 25A 45 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK (TC=25 C unless otherwis

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