STU1955NL Todos los transistores

 

STU1955NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU1955NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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STU1955NL Datasheet (PDF)

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STU1955NL

S T U/D1955NLS amHop Microelectronics C orp. Arp,12 2005 ver1.2N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S IDR DS (ON) ( m W ) MaxR ugged and reliable.55 @ V G S = 10V55V 10ATO-252 and TO-251 Package.80 @ V G S = 4.5VDDGSGS TU S E R IE S S TD S E R IE STO-252AA

Otros transistores... STU302S , STU25L01 , STU2455PLS , STU2240NL , STU20N15 , STU20L01A , STU20L01 , STU2030PLS , 10N60 , STU1855PL , STT600 , STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 .

History: SM4370NSKP | OSG70R2K6FF | FIR30N03D3G | IPAN70R900P7S | QM3010B | NTMFS4935NBT1G | HM1N60PR

 

 
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