Справочник MOSFET. STU1955NL

 

STU1955NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU1955NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU1955NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  samhop
 stu1955nl std1955nl.pdf pdf_icon

STU1955NL

S T U/D1955NLS amHop Microelectronics C orp. Arp,12 2005 ver1.2N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S IDR DS (ON) ( m W ) MaxR ugged and reliable.55 @ V G S = 10V55V 10ATO-252 and TO-251 Package.80 @ V G S = 4.5VDDGSGS TU S E R IE S S TD S E R IE STO-252AA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQPF6N15 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.