STT06L01 Todos los transistores

 

STT06L01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT06L01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de STT06L01 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STT06L01 datasheet

 ..1. Size:132K  samhop
stt06l01.pdf pdf_icon

STT06L01

Green Product STT06L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 220 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 3A 260 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Otros transistores... STT468A , STT4660 , STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , IRFP250N , STT04N20 , STS8235 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 .

History: MTP12N10L | AGM665E | GM8205

 

 

 


History: MTP12N10L | AGM665E | GM8205

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073

 

 

↑ Back to Top
.