STT06L01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT06L01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
Encapsulados: SOT223
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STT06L01 datasheet
stt06l01.pdf
Green Product STT06L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 220 @ VGS=10V Surface Mount Package. 100V 3A 260 @ VGS=4.5V D G G S STT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25
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History: MTP12N10L | AGM665E | GM8205
History: MTP12N10L | AGM665E | GM8205
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