STS8235 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS8235
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de STS8235 MOSFET
STS8235 Datasheet (PDF)
sts8235.pdf

STS8235aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDR ugged and reliable.36 @ VGS=4.5VS urface Mount Package.30V 4.5A46 @ VGS=2.5VE S D Protected.D1 D2S OT26Top ViewS 1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23
sts8216.pdf

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23
sts8217.pdf

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1
sts8202.pdf

GreenProductSTS8202aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28 @ VGS=4.0V ESD Protected.20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top Vi
Otros transistores... STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , K3569 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 , STS8205 , STS8202 .
History: AONR21311C | SMC3415A
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