STS8235 Todos los transistores

 

STS8235 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS8235
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de STS8235 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STS8235 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  samhop
sts8235.pdf pdf_icon

STS8235

STS8235aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorF E ATUR E SPRODUCT SUMMARYS uper high dense cell design for low R DS (ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDR ugged and reliable.36 @ VGS=4.5VS urface Mount Package.30V 4.5A46 @ VGS=2.5VE S D Protected.D1 D2S OT26Top ViewS 1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 9.1. Size:179K  samhop
sts8216.pdf pdf_icon

STS8235

GreenProductSTS8216aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 6A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2SOT 26Top ViewS1G161G 1G 2D1/D22 5 D1/D23

 9.2. Size:105K  samhop
sts8217.pdf pdf_icon

STS8235

GrerrPPrPrProSTS8217aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16.5 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.17 @ VGS=3.7V24V 7AESD Protected.18 @ VGS=3.1V27 @ VGS=2.5VD1 D2TSOT 26Top ViewS1

 9.3. Size:113K  samhop
sts8202.pdf pdf_icon

STS8235

GreenProductSTS8202aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.27 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.28 @ VGS=4.0V ESD Protected.20V 5A 30 @ VGS=3.7V 33 @ VGS=3.1V 38 @ VGS=2.5V D1 D2 TSOT 26Top Vi

Otros transistores... STT432S , STT3418 , STT3414 , STT10L01 , STT100 , STT08L01 , STT06L01 , STT04N20 , K3569 , STS8217 , STS8216 , STS8215 , STS8213 , STS8212 , STS8207 , STS8205 , STS8202 .

History: AONR21311C | SMC3415A

 

 
Back to Top

 


 
.