STM8500A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8500A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Encapsulados: SO-8
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STM8500A datasheet
stm8500a.pdf
STM8500A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) RDS(ON) (m ) Typ RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID VDSS ID 46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V 55V 4.6A -55V -3.5A 56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 2 3 4 1 S 1 G 1 S 2 G 2 (TA=25 C unless otherwis
stm8501.pdf
S T M8501 S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel) (N-C hannel) (P P R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel) V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max 50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V -55V - 3.5A 55V 5A 70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3
Otros transistores... STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 , STS3414 , STM8501 , AON7410 , STM8458 , STM8457 , STM8456 , STM6968 , STM6967 , STM6966 , STM6962 , STM6960A .
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