STM8500A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STM8500A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: SO-8
STM8500A Datasheet (PDF)
stm8500a.pdf
STM8500AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Typ RDS(ON) (m) TypVDSS ID VDSS ID46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V55V 4.6A -55V -3.5A56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-81 2 3 41S 1 G 1 S 2 G 2(TA=25C unless otherwis
stm8501.pdf
S T M8501S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V-55V - 3.5A55V 5A70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918