Справочник MOSFET. STM8500A

 

STM8500A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM8500A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для STM8500A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM8500A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  samhop
 stm8500a.pdf pdf_icon

STM8500A

STM8500AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Typ RDS(ON) (m) TypVDSS ID VDSS ID46 @ VGS=10V 85 @ VGS=-10V55V 4.6A -55V -3.5A56 @ VGS=4.5V 105 @ VGS=-4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-81 2 3 41S 1 G 1 S 2 G 2(TA=25C unless otherwis

 8.1. Size:828K  samhop
 stm8501.pdf pdf_icon

STM8500A

S T M8501S amHop Microelectronics C orp. J an.10 2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max50 @ V G S = 10V 80 @ V G S = -10V-55V - 3.5A55V 5A70 @ V G S = 4.5V 100 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3

Другие MOSFET... STS8202 , STS8201 , STS3420 , STS3419 , STS3417 , STS3415 , STS3414 , STM8501 , RFP50N06 , STM8458 , STM8457 , STM8456 , STM6968 , STM6967 , STM6966 , STM6962 , STM6960A .

History: DH033N03B | NVB5860NL | CS1010 | SIHF840L | AOB240L | GP2M009A090NG | FHP10N60A

 

 
Back to Top

 


 
.