STM8458 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM8458
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STM8458

STM8458 Datasheet (PDF)

..1. Size:251K samhop
stm8458.pdf

STM8458aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID32 @ VGS=10V 48 @ VGS=-10V40V 6.3A -40V -5.1A42 @ VGS=4.5V 68 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi

8.1. Size:255K samhop
stm8456.pdf

STM8456aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID33 @ VGS=10V 45 @ VGS=-10V40V 6.2A -40V -5.3A45 @ VGS=4.5V 70 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi

8.2. Size:200K samhop
stm8457.pdf

GreenProductSTM8457SamHop Microelectronics Corp.Dec.21,2009 Ver1.1Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-Channel) (P-Channel)PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max26 @ VGS = 10V 42 @ VGS = -10V-40V -5A40V 6A33 @ VGS = 4.5V 62 @ VGS = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5SO-811 2 3 4S1 G1 S2 G2

8.3. Size:802K samhop
stm8455.pdf

S T M8455S amHop Microelectronics C orp. Aug.16,2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max29 @ VG S = 10V 42 @ V G S = -10V-40V -5A40V 6A40 @ V G S = 4.5V 62 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: