Справочник MOSFET. STM8458

 

STM8458 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STM8458
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для STM8458

 

 

STM8458 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  samhop
 stm8458.pdf

STM8458 STM8458

STM8458aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID32 @ VGS=10V 48 @ VGS=-10V40V 6.3A -40V -5.1A42 @ VGS=4.5V 68 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi

 8.1. Size:255K  samhop
 stm8456.pdf

STM8458 STM8458

STM8456aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID33 @ VGS=10V 45 @ VGS=-10V40V 6.2A -40V -5.3A45 @ VGS=4.5V 70 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi

 8.2. Size:200K  samhop
 stm8457.pdf

STM8458 STM8458

GreenProductSTM8457SamHop Microelectronics Corp.Dec.21,2009 Ver1.1Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-Channel) (P-Channel)PRODUCT SUMMARY PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max26 @ VGS = 10V 42 @ VGS = -10V-40V -5A40V 6A33 @ VGS = 4.5V 62 @ VGS = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5SO-811 2 3 4S1 G1 S2 G2

 8.3. Size:802K  samhop
 stm8455.pdf

STM8458 STM8458

S T M8455S amHop Microelectronics C orp. Aug.16,2006 Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max29 @ VG S = 10V 42 @ V G S = -10V-40V -5A40V 6A40 @ V G S = 4.5V 62 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2 3 4S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top