STG8810A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STG8810A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 275 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STG8810A

STG8810A Datasheet (PDF)

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stg8810a.pdf

GreenProductSTG8810AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.3Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.15.0 @ VGS=4.0V ESD HBM > 2KV.20V 7A 17.0 @ VGS=3.7V 19.5 @ VGS=3.1V 23.0 @ VGS=2.5V D1 D2 TS S

7.1. Size:122K samhop
stg8810.pdf

GrPPrPPSTG8810aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.18.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.19.5 @ VGS=4.0VESD HBM > 2KV.20V 7A 20.0 @ VGS=3.7V23.0 @ VGS=3.1V28.5 @ VGS=2.5VD1 D2TS S OP

9.1. Size:131K samhop
stg8820.pdf

GreenProductSTG8820aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.20 @ VGS=4.0VSuface Mount Package.20V 7A27 @ VGS=2.5VESD Protected.D1 D2TSSOP1 8D1/D2 D1/D22 7S 1 S 2G 1G 23 6S 1 S 24

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