STE334S Todos los transistores

 

STE334S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE334S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 284 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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STE334S datasheet

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STE334S

Green Product STE334S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 4.7 @ VGS=10V 30V 18A Surface Mount Package. 8.3 @ VGS=4.5V 5 6 7 8 PIN 1 1 2 3 4 Power Pak 5 x 6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C

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STE334S

Green Product STE339S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 10.5 @ VGS=10V 30V 12A Surface Mount Package. 15 @ VGS=4.5V 5 6 7 8 PIN 1 1 2 3 4 Power Pak 5 x 6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C

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STE334S

Green Product STE336S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ Rugged and reliable. 4.7 @ VGS=10V 30V 22A Surface Mount Package. 8.7 @ VGS=4.5V 5 6 7 8 PIN 1 1 2 3 4 Power Pak 5 x 6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C

Otros transistores... STG8810 , STG8211 , STF8233 , STF8220 , STF8211 , STF8209A , STF8209 , STE336S , 20N50 , STD628S , STD1955NL , STD12L01A , STC3116E , STC2201 , STC2200 , STB8444 , STB80L60 .

History: STF8220

 

 

 

 

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