STC2200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STC2200
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STC2200

STC2200 Datasheet (PDF)

..1. Size:131K samhop
stc2200.pdf

GreenProductS TC 2200S amHop Microelectronics C orp.Mar 15 2005 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.85 @ VG S = 4.5V20V 2.3AS OT-323 package.110 @ VG S = 2.5VDS OT-323GSAB S OLUTE MAXIMUM R ATING (TA=25 C u

8.1. Size:90K samhop
stc2201.pdf

S TC 2201S amHop Microelectronics C orp.Mar 15 2005 ver1.2P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.145 @ VGS = -4.5V-20V -2AS OT-323 package.195 @ VGS = -2.5VDSOT-323GSAB S OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless otherwise not

9.1. Size:388K auk
stc221f.pdf

STC221FNPN Silicon TransistorPIN Connection Descriptions General purpose amplifier High current application Features High hFE : hFE=160~320 Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-89 Ordering Information Type No. Marking Package Code C221 STC221F SOT-89 YWW C221: DEVICE CODE, YWW(Y : Year code, WW : Weekly code) Absolute ma

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Liste

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