STC2200 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STC2200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.2 nC
Время нарастания (tr): 9.1 ns
Выходная емкость (Cd): 75 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT323
STC2200 Datasheet (PDF)
stc2200.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductS TC 2200S amHop Microelectronics C orp.Mar 15 2005 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.85 @ VG S = 4.5V20V 2.3AS OT-323 package.110 @ VG S = 2.5VDS OT-323GSAB S OLUTE MAXIMUM R ATING (TA=25 C u
stc2201.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
S TC 2201S amHop Microelectronics C orp.Mar 15 2005 ver1.2P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.145 @ VGS = -4.5V-20V -2AS OT-323 package.195 @ VGS = -2.5VDSOT-323GSAB S OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless otherwise not
stc221f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STC221FNPN Silicon TransistorPIN Connection Descriptions General purpose amplifier High current application Features High hFE : hFE=160~320 Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-89 Ordering Information Type No. Marking Package Code C221 STC221F SOT-89 YWW C221: DEVICE CODE, YWW(Y : Year code, WW : Weekly code) Absolute ma
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
![STC2200](https://alltransistors.com/images/us.png)
![STC2200](https://alltransistors.com/images/es.png)
![STC2200](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C