SDM4410 Todos los transistores

 

SDM4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDM4410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

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SDM4410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  samhop
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SDM4410
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GreenProductS DM4410S amHop Microelectronics C orp.Mar.01,2006 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.13.5 @ VG S = 10V30V 10AS urface Mount Package.20 @ VG S = 4.5VS O-81ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless

 0.1. Size:765K  ascend
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SDM4410
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ASDM4410S100V Dual N & P-Channel PowerTrenchFeaturesProduct SummaryN-ChannelV DS 100 VV DS V100 95 95 R DS(on),Typ@ VGS=10 V mR DS(on),Typ@ VGS=10 V m 5 I AI D RDS (ON) = 185m @ VGS = -10VP-ChannelApplicationV DS -100V DC-DC primary bridge 185R DS(on),Typ@ VGS=-10 V m DC-DC Synchronous rectificationI D -4AHot

 9.1. Size:354K  ascend
asdm4406s.pdf

SDM4410
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ASDM4406S30V N-Channel MOSFETFeaturesProduct SummaryHigh EfficiencyLow Dense Cell Design30 VVDSAdvanced trench process technology 9RDS(on),typ VGS=10V mimproved dv/dt capability 11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mIDReliable and RuggedA 13 ApplicationNetworking, Load SwtichLED lighting top viewASCENDSOP-8Absolute Maximum Ratings at Tj

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