SDM4410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SDM4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30.6 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0135 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SDM4410 Datasheet (PDF)
sdm4410.pdf
GreenProductS DM4410S amHop Microelectronics C orp.Mar.01,2006 ver1.2N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.13.5 @ VG S = 10V30V 10AS urface Mount Package.20 @ VG S = 4.5VS O-81ABS OLUTE MAXIMUM R ATINGS (TA=25 C unless
asdm4410s.pdf
ASDM4410S100V Dual N & P-Channel PowerTrenchFeaturesProduct SummaryN-ChannelV DS 100 VV DS V100 95 95 R DS(on),Typ@ VGS=10 V mR DS(on),Typ@ VGS=10 V m 5 I AI D RDS (ON) = 185m @ VGS = -10VP-ChannelApplicationV DS -100V DC-DC primary bridge 185R DS(on),Typ@ VGS=-10 V m DC-DC Synchronous rectificationI D -4AHot
asdm4406s.pdf
ASDM4406S30V N-Channel MOSFETFeaturesProduct SummaryHigh EfficiencyLow Dense Cell Design30 VVDSAdvanced trench process technology 9RDS(on),typ VGS=10V mimproved dv/dt capability 11.3RDS(on),typ VGS=4.5V mIDReliable and RuggedA 13 ApplicationNetworking, Load SwtichLED lighting top viewASCENDSOP-8Absolute Maximum Ratings at Tj
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
