SDF03N80 Todos los transistores

 

SDF03N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF03N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SDF03N80 datasheet

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SDF03N80

SDP03N80 SDF03N80 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Typ Rugged and reliable. 800V 3.0A 3.3 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

 9.1. Size:151K  solitron
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SDF03N80

Otros transistores... SP8007 , SP8006 , SDT01N02 , SDM4410 , SDK03N04 , SDF18N50 , SDF08N60 , SDF04N40 , AON7403 , SDF02N65 , SDF02N20 , SDD07N65 , FQA18N50V2 , FQA19N20C , FQA38N30 , FQB46N15 , FQI46N15 .

History: IRFI4110G | CSD75207W15

 

 

 

 

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