FDD13AN06F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDD13AN06F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDD13AN06F085

FDD13AN06F085 Datasheet (PDF)

5.1. Size:281K fairchild semi
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July 2003FDD13AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC co

5.2. Size:210K fairchild semi
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September 2010FDD13AN06A0_F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mFeatures Applications rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

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FDD13AN06A0-F085N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 50A, 13.5mApplicationsFeatures Motor / Body Load Control rDS(ON) = 11.5m (Typ.), VGS = 10V, ID = 50A ABS Systems Qg(tot) = 22nC (Typ.), VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Injection Systems Low QRR Body Diode DC-DC converters and Off-line UPS UIS Capability (Single Puls

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Liste

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